Твердотельный накопитель Samsung Electronics Samsung MZ-V9P4

3 400 ₸

Характеристики
Фото пользователя
Иван Иванов Частное лицо
5 9 отзывов

Адрес

1, улица Гагарина, Коломна, городской округ Коломна, Московская область, Центральный федеральный округ, 140408, Россия

Характеристики товара Все

Описание

DRAM буфер 1 EANCode 8806094946857 TBW твердотельного накопителя 2400 Ёмкость накопителя 4000 Интерфейс PCIe 4.0 x4 (NVMe) Кэш-память 1000 Модель Samsung 990 PRO Назначение Клиентские ПК Объём DRAM буфера 4096 Скорость последовательного чтения 7450 Скорость последовательной записи 6900 Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32) 1400000 Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32) 1550000 Средняя наработка на отказ 1500000 Тип памяти V-NAND Форм-фактор M.2 2280 . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-align: top; background: url(images/dott. png) no-repeat; background-position: 0px 12px; background-repeat: repeat-x; width:50%; border-bottom-width: 0px; } . adpar_property_list td span { bottom: 1px; } . adpar_property_list td. property_name{ width: 30%; }

Характеристики

Основные
Loading…
Loading the web debug toolbar…
Attempt #